共射电流放大系数β。β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
反向击穿电压值U(BR)CEO。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏，但管子的性能将变差。
最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值，反之则可能烧坏管子。
穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB=0时，流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1mA，锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管的ICEO约为mA数量级。
特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 fT的典型值约在100～1000MHz之间，实际工作频率 。
2.5.3 半导体器件的命名方法
1．中国半导体器件的命名法
根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-15。
表2-15 国产半导体器件的型号命名方法
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第一部分 |
第二部分 |
第 三 部 分 |
第四部分 |
第五部分 |
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用数字表示器
件的电极数目 |
用汉语拼音字母表示
器件的材料和极性 |
用汉语拼音字母表示器件的类别 |
用数字表示
器件序号 |
用汉语拼音字
母表示规格号 |
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符号 |
意 义 |
符号 |
意 义 |
符号 |
意 义 |
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|
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2 |
二极管 |
A
B
C
D |
N型锗材料
P型锗材料
N型硅材料
P型硅材料 |
P
V
W
C
Z
L
S
N
U
K |
普通管
微波管
稳压管
参量管
整流管
整流堆
隧道管
阻尼管
光电器件
开关管 |
|
|
|
3 |
三极管 |
A
B
C
D
E |
PNP型锗材料
NPN型锗材料
PNP型硅材料
NPN型硅材料
化合物材料 |
X
G
D
A
U
K |
低频小功率管（fT＞3MHz,PC＜1W）
高频小功率管（fT≥3MHz,PC＜1W）
低频大功率（fT≤3MHz,PC≥1W）
高频大功率（fT≥3MHz,PC≥1W）
光电器件
开关管 |
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|
|
|
|
|
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I
Y
B
J |
可控整流器
体效应器件
雪崩管
阶跃恢复管 |
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CS
BT
FH
PIN
JG |
场效应器件
半导体特殊器件
复合管
PIN型管
激光器件 |
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例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。
2. 美国半导体器件命名法
根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。
表2-16 美国半导体器件型号的命名法
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第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 |
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用符号表示器件的等级 |
用数字表示PN结数目 |
用字母表示材料 |
用数字表示器件登记序号 |
用字母表示同一器件的不同档次 |
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符号 |
意 义 |
符号 |
意 义 |
符号 |
意 义 |
符号 |
意 义 |
符号 |
意 义 |
|
J |
军品 |
1 |
二极管 |
N |
表示不加热即半导体器件 |
2～4位
数字 |
登记顺序号 |
A、B、
C… |
表示器件改进型 |
|
无 |
非军品
|
2 |
三极管 |
|
3 |
四极管 |
例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。
3．日本半导体器件命名法
日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。
三极管分类和作用 
